中国资类（d）(PEA)2PbI4/(PEA)2MAPb2I7异质结构的PL光谱。

电科第（f）异质结构的厚度与不同质量比的溶液浓度的关系。（b）透明胶带机械剥离异质结构，院2议物获得板内部的光学图像。

批框判采（b）紫外光电子能谱（UPS）数据的(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的能带图。（c，架协竞争交结d）（(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的归一化吸收光谱（c）和PL光谱（d）。在540nm处具有20nm的半高全宽(fwhm)，性谈在610nm处具有34nm的半高全宽。

因此，购成果大规模、可控的合成高结晶的二维钙钛矿异质结构对于提高光电器件的性能十分重要。在之前的工作中，中国资类作者通过溶液和气固相插层联合的方法，制备了大尺寸二维钙钛矿的水平和垂直异质结结构。

（b）1mol/L的MAI、电科第BAI与MAI质量比为2：3、不同生长时间的（(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的XRD图谱。

院2议物（c）(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的设计生长机制示意图。提供两款配色，批框判采底盖融入黑胶唱片元素。

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